Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFP9140-E3

SIHFP9140-E3

更新时间： 2024-10-17 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHFP9140-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	960 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFP9140-E3 数据手册

IRFP9140, SiHFP9140

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 100

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

RoHS

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.20

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• Isolated Central Mounting Hole

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mouting hole.

It also provides greater creepage distance between pins to

meet the requirements of most safety specifications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP9140PbF

SiHFP9140-E3

IRFP9140

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP9140

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 21

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

- 15

Pulsed Drain Current^a

I_DM

- 84

Linear Derating Factor

1.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

960

- 21

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

180

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.5

- 55 to + 175

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 3.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 21 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 21 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91238

S-Pending-Rev. A, 26-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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