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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFPC60LC-E3
SIHFPC60LC-E3 PDF预览

SIHFPC60LC-E3

更新时间： 2024-10-17 06:11:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 640K
描述
Power MOSFET

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SIHFPC60LC-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：280 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHFPC60LC-E3 数据手册

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IRFPC60LC, SiHFPC60LC  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Ultra Low Gate Charge  
• Reduced Gate Drive Requirement  
• Enhanced 30 V VGS Rating  
• Reduced Ciss, Coss, Crss  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Dynamic dV/dt Rated  
600  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.40  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
120  
29  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
48  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
This new series of low charge Power MOSFETs achieve  
significantly lower gate charge over conventional MOSFETs.  
Utilizing advanced Power MOSFETs technology the device  
improvements allow for reduced gate drive requirements,  
faster switching speeds and increased total system savings.  
These device improvements combined with the proven  
ruggedness and reliability of Power MOSFETs offer the  
designer a new standart in power transistors for switching  
applications.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole.  
TO-247  
G
S
S
N-Channel MOSFET  
D
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFPC60LCPbF  
SiHFPC60LC-E3  
IRFPC60LC  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFPC60LC  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
600  
V
VGS  
30  
T
C = 25 °C  
16  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
10  
64  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
2.2  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
1000  
16  
EAR  
28  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
280  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
3.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 7.2 µH, RG = 25 Ω, IAS = 16 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 16 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91244  
S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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