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SIHF9620STRL-GE3

更新时间： 2024-10-15 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 194K
描述
TRANSISTOR 3.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF9620STRL-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.09Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHF9620STRL-GE3 数据手册

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IRF9620S, SiHF9620S  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
- 200  
• Surface Mount  
RDS(on) ()  
VGS = - 10 V  
1.5  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
• P-Channel  
• Fast Switching  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Qg (Max.) (nC)  
22  
12  
10  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Configuration  
Single  
S
DESCRIPTION  
The Power MOSFETs technology is the key to Vishay’s  
advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient  
geometry and unique processing of the Power MOSFETs  
design achieve very low on-state resistance combined with  
high transconductance and extreme device ruggedness.  
The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package  
capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It  
provides the highest power capability and the lowest  
possible on-resistance in any existing surface mount  
package. The D2PAK (TO-263) is suitable for high current  
applications because of its low internal connection  
resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface  
mount application.  
D2PAK (TO-263)  
G
D
G
D
P-Channel MOSFET  
S
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
D2PAK (TO-263)  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHF9620S-GE3  
IRF9620SPbF  
SiHF9620S-E3  
SiHF9620STRL-GE3a  
IRF9620STRLPbFa  
SiHF9620STL-E3a  
Lead (Pb)-free  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 200  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
- 3.5  
Continuous Drain Current  
V
GS at - 10 V  
ID  
T
- 2.0  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
- 14  
Linear Derating Factor  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
0.32  
W/°C  
A
0.025  
- 14  
Inductive Current, Clamp  
ILM  
PD  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
T
C = 25 °C  
40  
W
TA = 25 °C  
3.0  
dV/dt  
- 5.0  
V/ns  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
300d  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 5).  
b. Not Applicable  
c. ISD - 3.5 A, dI/dt 95 A/μs, VDD VDS, TJ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1” square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91083  
S11-1051-Rev. C, 30-May-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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