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SIHF840LCS-E3

更新时间： 2024-10-15 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	1029K
描述
Power MOSFET

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SIHF840LCS-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.85 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF840LCS-E3 数据手册

IRF840LCS, IRF840LCL, SiHF840LCS, SiHF840LCL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Ultra Low Gate Charge

500

• Reduced Gate Drive Requirement

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.85

• Enhanced 30 V V_GSRating

• Reduced C_iss, C_oss, C_rss

• Extremely High Frequency Operation

• Repetitive Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

DESCRIPTION

This new series of low charge Power MOSFETs achieve

significantly lower gate charge then conventional Power

MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge device

Power MOSFETs) technology, the device improvements are

achieved without added product cost, allowing for reduced

gate drive requirements and total system savings. In

addition, reduced switching losses and improved efficiency

are achievable in a variety of high frequency applications.

Frequencies of a few MHz at high current are possible using

the new low charge Power MOSFETs.

D²PAK

(TO-263)

I²PAK

(TO-262)

N-Channel MOSFET

These device improvements combined with the proven

ruggedness and reliability that characterize Power

MOSFETs offer the designer a new power transistor

standard for switching applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF840LCSPbF

D²PAK (TO-263)

IRF840LCSTRR^a

SiHF840LCST^a

I²PAK (TO-262)

IRF840LCLPbF

SiHF840LCL-E3

IRF840LCL

Lead (Pb)-free

SiHF840LCS-E3

IRF840LCS

SiHF840LCS

SnPb

SiHF840LCL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

500

_C= 25 °C

8.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

5.1

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

1.0

W/°C

E_AS

I_AR

510

8.0

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

_C= 25 °C

3.1

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

125

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

3.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 14 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 8.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.0 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF840LC/SiHF840LC data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91068

S-Pending-Rev. A, 02-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF840LCST	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF840LCSTR	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF840S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF840S-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF840S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF840STL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF840STL-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF840STR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF840STR-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF840STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND

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