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SIHF9520STR-E3

更新时间： 2024-10-15 20:48:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	196K
描述
TRANSISTOR 6.8 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF9520STR-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.8 A	最大漏极电流 (ID)：	6.8 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF9520STR-E3 数据手册

IRF9520S, SiHF9520S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

- 100

R_DS(on)()

V_GS= - 10 V

0.60

Q_g(Max.) (nC)

3.0

9.0

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It

provides the highest power capability and the lowest

possible on-resistance in any existing surface mount

package. The D²PAK (TO-263) is suitable for high current

applications because of its low internal connection

resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface

mount application.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHF9520S-GE3

IRF9520SPbF

D²PAK (TO-263)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHF9520STRL-GE3^a

IRF9520STRLPbF^a

SiHF9520STL-E3^a

SiHF9520STRR-GE3^a

IRF9520STRRPbF^a

SiHF9520STR-E3^a

Lead (Pb)-free

SiHF9520S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 100

_C= 25 °C

- 6.8

- 4.8

- 27

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

0.025

300

E_AS

I_AR

- 6.8

6.0

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

3.7

dV/dt

- 5.5

- 55 to + 175

300^d

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 9.7 mH, R_g= 25 , I_AS= - 6.8 A (see fig. 12).

c. I_SD - 6.8 A, dI/dt  110 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91075

S11-1050-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF9520STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6.8 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF9530	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9530-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9530S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF9530S-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, T
SIHF9530S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF9530STL	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF9530STL-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, T
SIHF9530STR	VISHAY	获取价格	暂无描述
SIHF9530STR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, T

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