SIHF840STL

更新时间： 2024-11-26 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHF840STL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.05
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.85 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF840STL 数据手册

IRF840S, SiHF840S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Surface Mount

500

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.85

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

9.3

COMPLIANT

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirement

• Lead (Pb)-free Available

D²PAK (TO-263)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The SMD-220 is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest

power capability and the lowest possible on-resistance in

any existing surface mount package. The SMD-220 is

suitable for high current applications because of its low

internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W

in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF840SPbF

D²PAK (TO-263)

IRF840STRLPbF^a

SiHF840STL-E3^a

IRF840STR^aL

D²PAK (TO-263)

IRF840STRRPbF^a

SiHF840STR-E3^a

IRF840STR^a

Lead (Pb)-free

SiHF840S-E3

IRF840S

SiHF840S

SnPb

SiHF840STL^a

SiHF840STR^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

8.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

5.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

0.025

510

E_AS

I_AR

8.0

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

125

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

3.1

dV/dt

3.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 14 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 8.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.0 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91071

S-81432-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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SIHF840STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
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