Datasheet > SIHF644STR

SIHF644STR

更新时间： 2025-08-07 21:19:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	167K
描述
TRANSISTOR 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF644STR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	550 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF644STR 数据手册

IRF644S, SiHF644S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

250

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.28

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

Q_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Configuration

Single

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate up

to 2.0 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHF644S-GE3

IRF644SPbF

SiHF644S-E3

SiHF644STRL-GE3^a

IRF644STRLPbF^a

SiHF644STL-E3^a

SiHF644STRR-GE3^a

IRF644STRRPbF^a

SiHF644STR-E3^a

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

250

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

8.5

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

0.025

550

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

125

3.1

4.8

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

dV/dt

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.5 mH, R_g= 25 , I_AS= 14 A (see fig. 12).

c. I_SD 14 A, dI/dt  150 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91040

S11-1047-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与SIHF644STR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SiHF6N40D	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
SiHF6N65E	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET
SIHF710	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF710-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF710S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF710S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND R
SIHF710STL-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO
SIHF710STR	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF710STR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO
SIHF710STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND R

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF644STR

SIHF644STR 技术参数

SIHF644STR 数据手册

与SIHF644STR相关器件

与SIHF644STR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF644STR

SIHF644STR 技术参数

SIHF644STR 数据手册

与SIHF644STR相关器件

与SIHF644STR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？