Datasheet > SIHF710STRL-GE3

SIHF710STRL-GE3

更新时间： 2024-11-19 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	198K
描述
TRANSISTOR 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF710STRL-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.09
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	3.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF710STRL-GE3 数据手册

IRF710S, SiHF710S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

400

R_DS(on)()

V_GS= 10 V

3.6

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.4

_gd(nC)

8.5

Configuration

Single

D²PAK (TO-263)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides

the highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK (TO-263) is suitable for high current applications

because of its low internal connection resistance and can

dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

SiHF710STRL-GE3^a

IRF710STRLPbF^a

SiHF710STL-E3^a

D²PAK (TO-263)

IRF710STRRPbF^a

SiHF710STR-E3^a

SiHF710S-GE3

IRF710SPbF

SiHF710S-E3

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMIT

400

UNIT

V_GS

_C= 25 °C

2.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

_C= 100 °C

1.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

6.0

Linear Derating Factor

0.29

0.025

120

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.0

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

3.6

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

V/ns

°C

3.1

dV/dt

4.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 52 mH, R_g= 25 , I_AS= 2.0 A (see fig. 12).

c. I_SD 2.0 A, dI/dt  40 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91042

S11-1048-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与SIHF710STRL-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF720	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF720-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF720L-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SIHF720S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF720S-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SIHF720S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF720STR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SIHF720STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF720STRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF730	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHF710STRL-GE3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

22
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

14
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

44
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

43

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF710STRL-GE3

SIHF710STRL-GE3 技术参数

SIHF710STRL-GE3 数据手册

与SIHF710STRL-GE3相关器件

与SIHF710STRL-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF710STRL-GE3

SIHF710STRL-GE3 技术参数

SIHF710STRL-GE3 数据手册

与SIHF710STRL-GE3相关器件

与SIHF710STRL-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？