是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.09 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 190 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.3 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.3 A | 最大漏源导通电阻: | 1.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 13 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHF730 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
SIHF730A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
SIHF730A-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
SIHF730AL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
SIHF730AL-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO | |
SIHF730AL-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND R | |
SIHF730AS | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
SIHF730AS-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
SIHF730AS-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND R | |
SIHF730ASTL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |