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SI5459DU-T1-GE3

更新时间： 2024-11-05 19:54:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	190K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, CHIPFET-8

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SI5459DU-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.38
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	6.7 A
最大漏源导通电阻：	0.052 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-N3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI5459DU-T1-GE3 数据手册

Si5459DU

Vishay Siliconix

www.vishay.com

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES

• TrenchFET^®power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A) ^a

-8 ^e

Q_g(TYP.)

• 100 % R_gtested

0.052 at V_GS= -4.5 V

0.082 at V_GS= -2.5 V

-20

• Material categorization: 

-7.5

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

PowerPAK^®ChipFET^®Single

APPLICATIONS

• Load switch

• HDD DC/DC

Top View

Bottom View

Ordering Information: 

Si5459DU-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

-20

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

-8 ^e

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

-8 ^e

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

-6.7 ^{b, c}

-5.3 ^{b, c}

-20

-8 ^e

-2.9 ^{b, c}

Pulsed Drain Current (10 μs pulse width)

Source-Drain Current Diode Current

I_DM

I_S

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

_C= 25 °C

_C= 70 °C

10.9

Maximum Power Dissipation

P_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.5 ^{b, c}

2.2 ^{b, c}

-50 to 150

260

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak temperature) ^{d, e}

T_J, T_stg

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

LIMIT

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

TYPICAL

MAXIMUM

Maximum Junction-to-Ambient ^{b, d}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

t  10 s

R_thJA

R_thJC

°C/W

Steady State

9.5

11.5

Notes

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. Maximum under steady state conditions is 72 °C/W.

e. Package limited.

f. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed

and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

g. Rework conditions: Manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

S16-0980-Rev. C, 23-May-16

Document Number: 65017

For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI5461EDC-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 1206-8, CHIPFET-8, FET Gene
SI5461EDC-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 1206-8, CHI
SI5463EDC	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5463EDC_08	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5463EDC-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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