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SI4833ADY-T1-GE3

更新时间： 2024-10-14 20:56:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 178K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4833ADY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：4.6 A最大漏源导通电阻：0.072 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4833ADY-T1-GE3 数据手册

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Si4833ADY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
D (A)a  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ.)  
I
LITTLE FOOT® Plus Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.072 at VGS = - 10 V  
0.110 at VGS = - 4.5 V  
- 4.6  
•
•
- 30  
- 4.6  
- 3.4  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VF (V)  
Diode Forward Voltage  
VKA (V)  
I
D (A)a  
30  
0.50 V at 1 A  
2.4  
S
K
SO-8  
A
A
S
G
K
K
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
A
D
Ordering Information: Si4833ADY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4833ADY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 30  
- 30  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
Reverse Voltage (Schottky)  
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
VKA  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
- 4.6  
- 3.6  
- 3.85b, c  
- 3.08b, c  
- 20  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) (MOSFET)  
ID  
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
IDM  
IS  
A
- 2.3  
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
- 1.4b, c  
- 1.4b  
- 20  
Average Forward Current (Schottky)  
Pulsed Forward Current (Schottky)  
IF  
IFM  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.75  
1.75  
PD  
W
Maximum Power Dissipation (MOSFET and Schottky)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
1.93b, c  
1.23b, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
60  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET and Schottky)b, c, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain) (MOSFET and Schottky)  
65  
45  
°C/W  
35  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on FR4 board.  
c. t 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 120 °C/W.  
Document Number: 73627  
S10-2547-Rev. D, 08-Nov-10  
www.vishay.com  
1
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与SI4833ADY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4833BDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4833DY VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4833DY_07 VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4833DY-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI4834BDY VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4834BDY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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