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SI4835BDY-E3

更新时间： 2024-11-23 20:07:03

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威世 - VISHAY		/
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6页	86K
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Transistor

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SI4835BDY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4835BDY-E3 数据手册

Si4835BDY

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

Q_g(Typ)

D Advanced High Cell Density Process

D 100% R_gTested

APPLICATIONS

0.018 @ V = −10 V

−9.6

−7.5

−30

−25

0.030 @ V = −4.5

D Load Switches

− Notebook PCs

− Desktop PCs

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

Ordering Information: Si4835BDY

Si4835BDY-T1 (with Tape and Reel)

Si4835BDY—E3 (Lead (Pb)-Free)

Si4835BDY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−30

"25

= 25_C

= 70_C

−7.4

−5.9

−9.6

−7.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−50

continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.1

2.5

−1.3

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.6

0.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72029

S-41912—Rev. D, 25-Oct-04

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4835BDY-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4835CDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 7.4 A, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SO-8, FET Genera
Si4835DDY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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