SI4835BDY-T1

更新时间： 2024-11-22 22:39:35

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	48K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4835BDY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4835BDY-T1 数据手册

Si4835BDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Advanced High Cell Density Process

APPLICATIONS

0.018 @ V = -10 V

-9.6

-7.5

-30

0.030 @ V = -4.5

D Load Switches

- Notebook PCs

- Desktop PCs

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

Ordering Information: Si4835BDY

Si4835BDY-T1 (with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"25

= 25_C

= 70_C

-7.4

-5.9

-9.6

-7.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-50

continuous Source Current (Diode Conduction)

-2.1

2.5

-1.3

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.6

0.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72029

S-31062—Rev. C, 26-May-03

www.vishay.com

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