SI4835DY

更新时间： 2024-11-18 22:43:15

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页	81K
描述
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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SI4835DY 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.8 A	最大漏极电流 (ID)：	8.8 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4835DY 数据手册

January 2001

Si4835DY

P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using

Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process

that has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

• -8.8 A, -30 V. R_DS(ON)= 0.020 Ω @ V_GS= -10 V

R_DS(ON)= 0.035 Ω @ V_GS= -4.5 V

• Extended V_GSSrange (±25V) for battery applications.

• Low gate charge (19nC typical).

These devices are well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

• Fast switching speed.

• High performance trench technology for extremely

Applications

low R_DS(ON)

• Battery protection

• Load switch

• High power and current handling capability.

• Motor drives

SO-8

Absolute Maximum Ratings ^T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-8.8

-50

P_D

Power Dissipation for Single Operation

2.5

(Note 1a)

(Note 1b)

1.2

(Note 1c)

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_θ

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

Si4835DY

4835

13’’

12mm

2500 units

2001 Fairchild Semiconductor International

Si4835DY Rev. A

12 3 4 5

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SI4835DY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4435DY	FAIRCHILD	功能相似	30V P-Channel PowerTrench MOSFET
SI4435BDY	VISHAY	功能相似	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SI4835DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4835DYD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4835DYF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4835DYL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4836	SILICON	获取价格	Si4831/35/36/20/24/25-DEMO BOARD TEST PROCEDURE
SI4836-A10-GS	SILICON	获取价格	Audio Single Chip Receiver
SI4836DY	VISHAY	获取价格	N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4837DY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4837DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4837DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4838BDY	VISHAY	获取价格	N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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