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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4840DY-T1-E3
SI4840DY-T1-E3 PDF预览

SI4840DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-19 12:14:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 249K
描述
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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SI4840DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.56 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4840DY-T1-E3 数据手册

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Si4840DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
14  
Definition  
0.009 at VGS = 10 V  
0.012 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
40  
12  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
SO-8  
D
D
8
S
1
2
3
4
7
6
5
D
D
D
S
S
G
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4840DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4840DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
14  
11  
10  
8
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IAS  
EAS  
IS  
Pulsed Drain Current  
50  
30  
45  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
Avalanche Energy (Single Pulse)  
mJ  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2.8  
3.1  
2.0  
1.4  
1.56  
1.0  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
40  
80  
21  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
65  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
17  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71188  
S09-0869-Rev. E, 18-May-09  
www.vishay.com  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si4842BDY VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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