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SI4832DY

更新时间： 2024-10-13 22:43:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 48K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4832DY 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.9Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI4832DY 数据手册

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Si4832DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.018 @ V = 10 V  
9
GS  
30  
0.028 @ V = 4.5 V  
7.3  
GS  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
VDS (V)  
IF (A)  
30  
0.53 V @ 3.0 A  
4.0  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
Ordering Information:  
Si4832DY  
Si4832DY-T1 (with Tape and Reel)  
Schottky Diode  
G
N-Channel MOSFET  
Top View  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Limit  
Parameter  
Symbol  
Unit  
10 sec  
Steady State  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
30  
30  
V
V
DS  
Reverse Voltage (Schottky)  
V
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
"20  
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
6.9  
5.6  
9
A
, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C) (MOSFET)a  
I
J
D
T
A
7.5  
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
I
I
50  
50  
DM  
A
, b  
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)a  
Average Foward Current (Schottky)  
I
S
2.1  
4.0  
1.2  
2.3  
I
F
Pulsed Foward Current (Schottky)  
FM  
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
2.5  
1.6  
1.4  
0.9  
A
a b  
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
T
A
P
W
D
T
A
2.0  
1.2  
a, b  
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
T
A
1.3  
0.8  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to 150  
-55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Device  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
MOSFET  
Schottky  
MOSFET  
Schottky  
40  
50  
70  
80  
50  
60  
a
Maximum Junction-to-Ambient (t v 10 sec)  
R
thJA  
_
C/W  
90  
a
Maximum Junction-to-Ambient (t = steady state)  
100  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 71774  
S-31062—Rev. F, 26-May-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4832DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4832DY-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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