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SI4480DYD84Z

更新时间： 2024-02-23 23:17:26

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	90K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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技术参数
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SI4480DYD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	7.6 A
最大漏源导通电阻：	0.029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4480DYD84Z 数据手册

Typical Characteristics (continued)

2400

2000

1600

1200

800

400

f = 1MHz

_GS= 0 V

I_D= 7.6A

V_DS= 10V

20V

40V

C_ISS

C_OSS

C_RSS

Q_g, GATE CHARGE (nC)

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 7. Gate-Charge Characteristics.

Figure 8. Capacitance Characteristics.

100

SINGLE PULSE

R_θJA=125°C/W

T_A= 25°C

100µs

1ms

10ms

100ms

R_DS(ON)LIMIT

10s

V_GS= 10V

SINGLE PULSE

R_θ_JA= 125^oC/W

T_A= 25^oC

0.1

0.01

0.1

100

0.001

0.01

0.1

100 300

SINGLE PULSE TIME (SEC)

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 9. Maximum Safe Operating Area.

Figure 10. Single Pulse Maximum

Power Dissipation.

D = 0.5

0.5

(t) = r(t) * R

J A

0.2

= 125°C/W

J A

0. 1

0.1

0.05

P(pk )

0.02

0. 0 1

0.01

S i

g le P ul s e

- T = P

( t)

0.005

Du t

C y c l e, D= t /t

0.002

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

, TIME (se c)

100

300

Figure 11. Transient Thermal Response Curve.

Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.

Transient themal response will change depending on the circuit board design.

Si4480DY Rev A

1 2 345

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