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SI4480DY

更新时间： 2024-02-05 07:47:13

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威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	61K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4480DY 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4480DY 数据手册

Si4480DY

Vishay Siliconix

N-Channel 80-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.035 @ V = 10 V

6.0

5.5

0.040 @ V = 6.0 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4480DY

Si4480DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

6.0

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

4.8

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.1

= 25_C

= 70_C

2.5

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70645

S-03951—Rev. D, 26-May-03

www.vishay.com

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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