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SI3442DVD84Z

更新时间： 2024-01-21 15:05:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	74K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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技术参数
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SI3442DVD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	4.1 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3442DVD84Z 数据手册

Typical Electrical Characteristics (continued)

1.12

=0V

= 250µA

1.08

1.04

0.1

T = 125°C

25°C

-55°C

0.01

0.96

0.92

0.001

0.0001

-50

-25

100

125

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 7. Breakdown Voltage Variation with

Temperature.

Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with

Source Current and Temperature.

1500

V_DS= 5V

I_D= 4.1A

15V

1000

600

10V

iss

300

200

oss

f = 1 MHz

V_GS= 0V

rss

100

0.1

0.2

0.5

, GATE CHARGE (nC)

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 10. Gate Charge Characteristics.

Figure 9. Capacitance Characteristics.

t_on

t_off

V_DD

t_d(off)

t _d(on)

t_r

t_f

R_L

V_IN

90%

V_OUT

OUT

V_GS

10%

R_GEN

INVERTED

DUT

90%

50%

10%

PULSE WIDTH

Figure 12. Switching Waveforms.

Figure 11. Switching Test Circuit.

SI3442DV Rev.A

1 2 3 456 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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