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SI3442DVD84Z

更新时间： 2024-01-22 02:05:44

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	74K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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技术参数
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SI3442DVD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	4.1 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3442DVD84Z 数据手册

Typical Electrical Characteristics

2.5

= 4.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.0V

V_GS=2.0V

1.5

2.5V

2.7V

3.0V

3.5V

4.5V

1.5V

0.5

, DRAIN CURRENT (A)

, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 2. On-Resistance Variation

Figure 1. On-Region Characteristics.

with Drain Current and Gate Voltage.

1.8

1.6

1.4

1.2

2.5

= 4.1A

= 4.5V

T = 125°C

1.5

25°C

-55°C

0.5

0.8

0.6

-50

-25

100

125

150

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

, DRAIN CURRENT (A)

Figure 4. On-Resistance Variation

with Drain Current and Temperature.

Figure 3. On-Resistance Variation

with Temperature.

1.3

1.2

1.1

25°C

=- 5V

= V

= -55°C

125°C

= 250µA

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

1.5

2.5

-50

-25

100

125

150

, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Figure 6. Gate Threshold Variation

Figure 5. Transfer Characteristics.

with Temperature.

SI3442DV Rev.A

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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