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SI1551DL-T1-GE3

更新时间： 2024-11-09 22:36:31

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威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	127K
描述
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

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SI1551DL-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.15
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.41 A	最大漏极电流 (ID)：	0.29 A
最大漏源导通电阻：	1.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON

SI1551DL-T1-GE3 数据手册

Si1551DL

Vishay Siliconix

Complementary 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A) Q_g(Typ.)

Definition

1.9 at V_GS= 4.5 V

3.7 at V_GS= 2.7 V

4.2 at V_GS= 2.5 V

0.995 at V_GS= - 4.5 V

1.600 at V_GS= - 2.7 V

1.800 at V_GS= - 2.5 V

0.30

•

TrenchFET^®Power MOSFET: 2.5 V Rated

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

N-Channel

P-Channel

0.22

0.21

0.72

0.52

- 0.44

- 0.34

- 0.32

- 20

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

RD XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

Ordering Information: Si1551DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si1551DL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

N-Channel

P-Channel

Steady State

Parameter

Symbol

V_DS

Unit

5 s

Steady State

5 s

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 20

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

0.30

0.22

0.29

0.21

- 0.44

- 0.31

- 0.41

- 0.30

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

- 1.0

Pulsed Drain Current

0.6

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

0.25

0.30

0.16

0.23

- 0.25

0.30

- 0.23

0.27

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

0.27

Maximum Power Dissipation^a

P_D

0.14

0.16

0.14

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

360

Maximum

415

Unit

t ≤ 5 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

400

460

°C/W

R_thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

300

350

Notes:

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

Document Number: 71255

S10-0935-Rev. D, 19-Apr-10

www.vishay.com

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SI1551DL-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI1563DH-T1-E3	VISHAY	类似代替	Complementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFET
SI1555DL-T1-E3	VISHAY	类似代替	Complementary Low-Threshold MOSFET Pair

与SI1551DL-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI1553CDL	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI1553CDL-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FRE
SI1553DL	VISHAY	获取价格	Complementary 2.5-V (G-S) MOSFET
SI1553DL_08	VISHAY	获取价格	Complementary 2.5-V (G-S) MOSFET
SI1553DL-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 660 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PI
SI1553DL-T1	VISHAY	获取价格	Transistor
SI1553DL-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 660 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FRE
SI1555DL	VISHAY	获取价格	Complementary Low-Threshold MOSFET Pair
SI1555DL_08	VISHAY	获取价格	Complementary Low-Threshold MOSFET Pair
SI1555DL_10	VISHAY	获取价格	Complementary Low-Threshold MOSFET Pair

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