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SGTQ160V65SDB1PW

更新时间： 2024-09-16 18:09:43

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士兰微 - SILAN		/
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12页	601K
描述
TO-247P-3L

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SGTQ160V65SDB1PW 数据手册

士兰微电子

SGTQ160V65SDB1PW 说明书

160A、650V绝缘栅双极型晶体管

描述

SGTQ160V65SDB1PW 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代

场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产

品可应用于车驱，UPS，SMPS 等领域。

特点



160A，650V，V_CE(sat)(_典型值=1.42V@I_C=160A

)

低导通损耗

快开关速度

高输入阻抗

T_Jmax=175C

TO-247P-3L

命名规则

SGT Q 160 V 65 S D B 1 PW

士兰IGBT系列

汽车级

封装形式,如

PW : TO-247P-3L

电流规格160A

1,2,3„ : 版本号

N : N沟平面栅

NE : N沟平面栅带ESD

T : Field Stop 3和4

U : Field Stop 4+

V : Field Stop 5

W: Field Stop 5+

X : Field Stop 6

Y : Field Stop 7

空: 标准二极管（Standard）

M : 标准二极管、全电流规格（Standard Full）

R : 快速二极管（Rapid）

B : 快速二极管、全电流规格（Rapid Full）

S : 超软二极管、全电流规格（Soft Full）

D : 合封二极管

电压规格，如:

65表示650V

R : 集成二极管（RC IGBT）

空: 单IGBT芯片

120表示1200V等

C : SiC二极管

L : 超低速，推荐频率~2KHz

Q : 低速，推荐频率2~20K

S : 标准，推荐频率5~40K

F : 高速，推荐频率10~60K

UF : 超高速，推荐频率40K~

: 点火器

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SGTQ160V65SDB1PW

TO-247P-3L

Q160V65SDB1

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 12 页第 1 页

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