Datasheet > SGTQ200V75SDB1PWA

SGTQ200V75SDB1PWA

更新时间： 2024-03-03 10:08:54

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
11页	501K
描述
TO-247PN-3L

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SGTQ200V75SDB1PWA 数据手册

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第7页

士兰微电子

SGTQ200V75SDB1PWA 说明书

200A、750V绝缘栅双极型晶体管

描述

SGTQ200V75SDB1PWA 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五

代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有低饱和压降，低开关损耗的优点，

可应用于 Motor Drives、DC/AC converter 等领域。

特点



低饱和压降：V_CE(sat)=1.42V(典型值)@I_C=200A

最大结温：T_jmax=175C

正温度系数

优化参数一致性

TO-247PN-3L

高输入阻抗

命名规则

SGTQ 200 V 75 S D B 1 PWA

士兰IGBT系列

封装形式，如

汽车级

PWA：TO-247PN-3L

电流规格，如：

70表示70A等

1,2,3…：版本号

N：N沟平面栅

空：标准二极管（Standard）

M：标准二极管、全电流规格（Standard Full）

R：快速二极管（Rapid）

B：快速二极管、全电流规格（Rapid Full）

S：超软二极管、全电流规格（Soft Full）

NE：N沟平面栅带ESD

T：Field Stop 3和4

U：Field Stop 4+

V：Field Stop 5

W：Field Stop 6

X：Field Stop 7

D：合封二极管

电压规格，如：

65表示650V

R：集成二极管（RC IGBT）

L：超低速，推荐频率~2KHz

Q：低速，推荐频率2~20KHz

S：标准，推荐频率5~40KHz

F：高速，推荐频率10~60KHz

UF：超高速，推荐频率40KHz~

120表示1200V等

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

Q200V75SDB1

环保等级

包装方式

SGTQ200V75SDB1PWA

TO-247PN-3L

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 11 页

第 1 页

http: //www.silan.com.cn

12 3 4 5 6 7...11

下载PDF

与SGTQ200V75SDB1PWA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SGTQ200V75SDB1PWD	SILAN	TO-247PD-3L	获取价格
SGTQ30NE40I1D	SILAN	TO-252-2L	获取价格
SGTQ40T120SDB2P7	SILAN	TO-247-3L	获取价格
SGU01G64A1BG1SA-BBR	ETC	1024MB DDR3 . SDRAM UDIMM	获取价格
SGU01G64A1BG1SA-CCR	ETC	1024MB DDR3 . SDRAM UDIMM	获取价格
SGU01G64A1BG1SA-DCR	ETC	1024MB DDR3 . SDRAM UDIMM	获取价格