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SGU20N40

更新时间： 2024-02-22 14:15:11

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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5页	152K
描述
High input impedance

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SGU20N40 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1800 ns	标称接通时间 (ton)：	1900 ns
Base Number Matches：	1

SGU20N40 数据手册

August 2001

IGBT

SGR20N40L / SGU20N40L

General Description

Features

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench

gate structure provide superior conduction and switching

performance in comparison with transistors having a planar

gate structure. They also have wide noise immunity. These

devices are very suitable for strobe applications

•

High input impedance

High peak current capability (150A)

Easy gate drive

Surface Mount : SGR20N40L

Straight Lead : SGU20N40L

Application

Strobe flash.

D-PAK

I-PAK

G C E

Absolute Maximum Ratings

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Description

SGR / SGU20N40L

Units

Collector - Emitter Voltage

400

± 6

CES

GES

Gate - Emitter Voltage

Pulsed Collector Current

150

CM (1)

M a x i m u m P o w e r D i s s i p a t i o n

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for soldering

purposes, 1/8” from case for 5 seconds

@ T = 25°C

-40 to +150

°C

stg

300

°C

Notes :

(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

3.0

θJC

(D-PAK)

(I-PAK)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

θJA

(2)

110

Notes :

(2) Mounted on 1” square PCB (FR4 or G-10 Material)

SGR20N40L / SGU20N40L Rev. A1

12 3 4 5

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