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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 1.4 V | 门极-发射极最大电压： | 6 V |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1800 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 1900 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGU20N40LTU | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, IPAK-3 |
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| SGU20N40LTU_NL | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, LEAD FREE, IPAK-3 |
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| SGU2N60UF | FAIRCHILD |
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Ultra-Fast IGBT |
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| SGU2N60UFD | FAIRCHILD |
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Ultra-Fast IGBT |
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| SGU2N60UFDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SGU2N60UFTU | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, IPAK-3 |
|
| SGU6N60UF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultra-Fast IGBT |
|
| SGU6N60UFTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, IPAK-3 |
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| SGUFCB | ETC |
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Voltage-Controlled Oscillator |
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| SGUFLB | ETC |
获取价格 |
Voltage-Controlled Oscillator |
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