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SGU2N60UFTU

更新时间： 2024-11-20 21:13:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 电动机控制栅瞄准线开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 525K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, IPAK-3

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SGU2N60UFTU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.78其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)：2.4 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：160 ns
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：291 ns
标称接通时间 (ton)：43 nsBase Number Matches：1

SGU2N60UFTU 数据手册

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IGBT  
SGU2N60UF  
Ultra-Fast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UF series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.1 V @ I = 1.2A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
G
I-PAK  
G C E  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGU2N60UF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
2.4  
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
1.2  
10  
A
C
Pulsed Collector Current  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T  
=
25°C  
25  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
10  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
--  
--  
5.0  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
110  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGU2N60UF Rev. A1  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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