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SGU6N60UFTU

更新时间： 2024-01-07 11:57:02

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	509K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, IPAK-3

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技术参数
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SGU6N60UFTU 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	160 ns	门极发射器阈值电压最大值：	7.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	202 ns	标称接通时间 (ton)：	54 ns
Base Number Matches：	1

SGU6N60UFTU 数据手册

IGBT

SGU6N60UF

Ultra-Fast IGBT

General Description

Features

Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors

(IGBTs) provides low conduction and switching losses.

The UF series is designed for applications such as motor

control and general inverters where high speed switching is

a required feature.

•

High speed switching

Low saturation voltage : V

High input impedance

= 2.1 V @ I = 3A

CE(sat)

Applications

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

I-PAK

G C E

Absolute Maximum Ratings

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Description

SGU6N60UF

Units

Collector-Emitter Voltage

600

CES

GES

Gate-Emitter Voltage

± 20

Collector Current

@ T

25°C

Collector Current

@ T = 100°C

Pulsed Collector Current

CM (1)

Maximum Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds

@ T

25°C

°C

@ T = 100°C

-55 to +150

stg

300

°C

Notes :

(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

4.0

θJC

θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

110

SGU6N60UF Rev. A1

12 3 4 5 6 7

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与SGU6N60UFTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SGUFCB	ETC	Voltage-Controlled Oscillator	获取价格
SGUFLB	ETC	Voltage-Controlled Oscillator	获取价格
SGUGCA	ETC	Voltage-Controlled Oscillator	获取价格
SGUGCA-1.024	ETC	Crystal Oscillator	获取价格
SGUGCA-1.024MHZ	MICROSEMI	CMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1.024MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC,	获取价格
SGUGCA-1.544	ETC	Crystal Oscillator	获取价格