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SGU6N60UFTU PDF预览

SGU6N60UFTU

更新时间： 2024-11-30 12:59:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 509K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, IPAK-3

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SGU6N60UFTU 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：160 ns门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：202 ns标称接通时间 (ton)：54 ns
Base Number Matches：1

SGU6N60UFTU 数据手册

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IGBT  
SGU6N60UF  
Ultra-Fast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UF series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.1 V @ I = 3A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
G
I-PAK  
G C E  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGU6N60UF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
6
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
3
A
C
Pulsed Collector Current  
25  
30  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T  
=
25°C  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
12  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
--  
--  
4.0  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
110  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGU6N60UF Rev. A1  
1234567

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