Datasheet > SGTQ200V75SDB1PWA

SGTQ200V75SDB1PWA

更新时间： 2024-03-03 10:08:54

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
11页	501K
描述
TO-247PN-3L

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SGTQ200V75SDB1PWA 数据手册

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第8页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第9页

浏览型号SGTQ200V75SDB1PWA的Datasheet PDF文件第10页

士兰微电子

SGTQ200V75SDB1PWA 说明书

典型特性曲线（续）

图14. 关断特性 vs. 栅极电阻

图13. 关断特性 vs. 栅极电阻

10000

1000

100

10000

td(off)

Td(off)

1000

100

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V,

I_C=100A，T_C=25°C

V_CC=400V, V_GE=15V,

I_C=100A，T_C=150°C

栅极电阻 - R_G(Ω)

图15. 开关损耗 vs. 栅极电阻

图16. 开关损耗 vs. 栅极电阻

100

Eon

Eoff

Eon

Eoff

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V

I_C=100A,T_C=25°C

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V

I_C=100A,T_C=150°C

栅极电阻 - R_G(Ω)

图18. 导通特性 vs. 集电极电流

图17. 导通特性 vs. 集电极电流

1000

100

1000

100

td(on)

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V

R_G=10Ω,T_C=150°C

V_CC=400V, V_GE=15V

R_G=10Ω,T_C=25°C

120

150

180

120

150

180

集电极电流 - I_C(A)

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 11 页第 7 页

1...4 5 678 9 10 11

中文翻译

下载PDF

与SGTQ200V75SDB1PWA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SGTQ200V75SDB1PWD	SILAN	TO-247PD-3L	获取价格
SGTQ30NE40I1D	SILAN	TO-252-2L	获取价格
SGTQ40T120SDB2P7	SILAN	TO-247-3L	获取价格
SGU01G64A1BG1SA-BBR	ETC	1024MB DDR3 . SDRAM UDIMM	获取价格
SGU01G64A1BG1SA-CCR	ETC	1024MB DDR3 . SDRAM UDIMM	获取价格
SGU01G64A1BG1SA-DCR	ETC	1024MB DDR3 . SDRAM UDIMM	获取价格