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SGTQ200V75SDB1PWD

更新时间： 2024-04-09 19:02:49

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	568K
描述
TO-247PD-3L

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SGTQ200V75SDB1PWD 数据手册

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士兰微电子

SGTQ200V75SDB1PWD 说明书

200A、750V绝缘栅双极型晶体管

描述

SGTQ200V75SDB1PWD 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五

代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有低饱和压降，低开关损耗的优点，

可应用于 Motor Drives、DC/AC converter 等领域。

特点



低饱和压降：V_CE(sat)=1.50V₍_典型值@I_C=200A

)

最大结温：T_jmax=175C

正温度系数

优化参数一致性

TO-247PD-3L



高输入阻抗

封装背面适用于 245 C ，3 次回流焊接

命名规则

SGT Q 200 V 75 S D B 1 PWD

士兰IGBT系列

汽车级

封装形式,如

PW D: TO-247PD-3L

电流规格,如:

200表示200A等

1,2,3 : 版本号

空: 标准二极管（Standard）

M : 标准二极管、全电流规格（Standard Full）

R : 快速二极管（Rapid）

B : 快速二极管、全电流规格（Rapid Full）

S : 超软二极管、全电流规格（Soft Full）

N : N沟平面栅

NE : N沟平面栅带ESD

T : Field Stop 3和4

U : Field Stop 4+

V : Field Stop 5

W: Field Stop 5+

X : Field Stop 6

Y : Field Stop 7

D : 合封二极管

R : 集成二极管（RC IGBT）

空: 单IGBT芯片

电压规格，如:

75表示750V

120表示1200V等

C : Sic二极管

L : 超低速，推荐频率~2KHz

Q : 低速，推荐频率2~20K

S : 标准，推荐频率5~40K

F : 高速，推荐频率10~60K

UF : 超高速，推荐频率40K~

I : 点火器

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

Q200V75PWD

环保等级

包装方式

SGTQ200V75SDB1PWD

TO-247PD-3L

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 12 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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