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SGTQ30NE40I1D

更新时间： 2024-04-09 19:00:28

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士兰微 - SILAN		/
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8页	418K
描述
TO-252-2L

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SGTQ30NE40I1D 数据手册

士兰微电子

SGTQ30NE40I1D 说明书

30A、400V绝缘栅双极型晶体管

COLLECTOR

描述

SGTQ30NE40I1D 缘栅双极型晶体管，具有较低的导通损耗和优秀的

单脉冲雪崩能量。

GATE

特点



低导通损耗

低逻辑电平

T_Jmax=175C

EMITTER

TO-252-2L

命名规则

SGT Q 30 NE 40 I 1 D

士兰IGBT系列

汽车级

封装形式,如

D : TO-252-2L

电流规格,如:

30表示30A等

1,2,3… : 版本号

N : N沟平面栅

NE : N沟平面栅带ESD

T : Field Stop 3和4

U : Field Stop 4+

V : Field Stop 5

W: Field Stop 6

X : Field Stop 7

L : 超低速，推荐频率~2KHz

Q : 低速，推荐频率2~20K

S : 标准，推荐频率5~40K

F : 高速，推荐频率10~60K

UF : 超高速，推荐频率40K~

电压规格, 如:

65表示650V

120表示1200V等

: IGNITION

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SGTQ30NE40I1DTR

TO-252-2L

Q30NE40I

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 8 页第 1 页

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