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SGTQ30NE40I1D

更新时间: 2024-12-01 17:01:19
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
8页 418K
描述
TO-252-2L

SGTQ30NE40I1D 数据手册

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士兰微电子  
SGTQ30NE40I1D 说明书  
30A400V绝缘栅双极型晶体管  
COLLECTOR  
描述  
SGTQ30NE40I1D 缘栅双极型晶体管有较低的导通损耗和优秀的  
单脉冲雪崩能量。  
R1  
GATE  
特点  
R2  
低导通损耗  
低逻辑电平  
TJmax=175C  
EMITTER  
1
3
TO-252-2L  
命名规则  
SGT Q 30 NE 40 I 1 D  
士兰IGBT系列  
汽车级  
封装形式,如  
D : TO-252-2L  
电流规格,:  
30表示30A等  
1,2,3: 版本号  
N : N沟平面栅  
NE : N沟平面栅带ESD  
T : Field Stop 34  
U : Field Stop 4+  
V : Field Stop 5  
W: Field Stop 6  
X : Field Stop 7  
L : 超低速,推荐频率~2KHz  
Q : 低速,推荐频率2~20K  
S : 标准,推荐频率5~40K  
F : 高速,推荐频率10~60K  
UF : 超高速,推荐频率40K~  
电压规格, :  
65表示650V  
120表示1200V等  
I
: IGNITION  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
SGTQ30NE40I1DTR  
TO-252-2L  
Q30NE40I  
无卤  
编带  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.1  
8 页 第 1 页  
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