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SGTQ75V65FDB1P7

更新时间： 2024-11-18 18:09:51

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士兰微 - SILAN		/
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11页	466K
描述
TO-247-3L

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SGTQ75V65FDB1P7 数据手册

士兰微电子

SGTQ75V65FDB1P7 说明书

75A、650V绝缘栅双极型晶体管

描述

SGTQ75V65FDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场

截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品

可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。

特点



75A，650V，V_CE(sat)(_典型值=1.65V@I_C=75A

)

低导通损耗

快开关速度

高输入阻抗

T_Jmax=175C

TO-247-3L

命名规则

SGT Q 75 V 65 F D B 1 P7

士兰IGBT系列

汽车级

封装形式，如

P7：TO-247-3L

电流规格，如：

75表示75A等

1,2,3… ：版本号

N：N沟平面栅

空：标准二极管（Standard）

M：标准二极管、全电流规格（Standard Full）

R：快速二极管（Rapid）

B：快速二极管、全电流规格（Rapid Full）

S：超软二极管、全电流规格（Soft Full）

NE：N沟平面栅带ESD

T： Field Stop 3和4

U：Field Stop 4+

V：Field Stop 5

W：Field Stop 6

X：Field Stop 7

D：合封二极管

电压规格，如：

65表示650V

120表示1200V等

R：集成二极管（RC IGBT）

L：超低速，推荐频率~2KHz

Q：低速，推荐频率2~20K

S：标准，推荐频率5~40K

F：高速，推荐频率10~60K

UF：超高速，推荐频率40K~

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

Q75V65FDB1

环保等级

包装方式

SGTQ75V65FDB1P7

TO-247-3L

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.3

共 11 页第 1 页

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