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SGTQ50V65UF1S7

更新时间： 2024-11-18 18:09:27

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士兰微 - SILAN		/
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10页	501K
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TO-263-7L

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SGTQ50V65UF1S7 数据手册

士兰微电子

SGTQ50V65UF1S7 说明书

50A、650V绝缘栅双极型晶体管

描述

Tab

SGTQ50V65UF1S7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截

止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可

应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。

3~7

特点



50A，650V，V_CEsat(_典型值=1.75V@I_C=50A

)

Tab

低开通损耗

快开关速度

高输入阻抗

T_Jmax=175C

TO-263-7L

命名规则

SGT Q 50 V 65 UF

1 S7

士兰IGBT系列

汽车级

封装形式,如

S7 : TO-263-7L

电流规格,如:

50表示50A等

1,2,3„ : 版本号

N : N沟平面栅

空: 标准二极管（Standard）

M : 标准二极管、全电流规格（Standard Full）

R : 快速二极管（Rapid）

B : 快速二极管、全电流规格（Rapid Full）

S : 超软二极管、全电流规格（Soft Full）

NE : N沟平面栅带ESD

T : Field Stop 3和4

U : Field Stop 4+

V : Field Stop 5

W: Field Stop 5+

X : Field Stop 6

Y : Field Stop 7

D : 合封二极管

R : 集成二极管（RC IGBT）

空: 单IGBT芯片

C : SiC二极管

电压规格，如:

65表示650V

120表示1200V等

L : 超低速，推荐频率~2KHz

Q : 低速，推荐频率2~20K

S : 标准，推荐频率5~40K

F : 高速，推荐频率10~60K

UF : 超高速，推荐频率40K~

I : 点火器

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-263-7L

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

料管

SGTQ50V65UF1S7

SGTQ50V65UF1S7TR

Q50V65UF1

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 10 页第 1 页

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SGTQ75V65FDB1P7	SILAN	获取价格	TO-247-3L
SGTQ75V65FDB2P7	SILAN	获取价格	TO-247-3L
SGU01G64A1BG1SA-BBR	ETC	获取价格	1024MB DDR3 . SDRAM UDIMM
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