Datasheet > SG2012J/883B

SG2012J/883B

更新时间： 2024-12-01 21:08:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-16

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SG2012J/883B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T16
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	900	JESD-30 代码：	R-CDIP-T16
JESD-609代码：	e0	元件数量：	7
端子数量：	16	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.9 V	Base Number Matches：	1

SG2012J/883B 数据手册

SG2000 SERIES

HIGH VOLTAGE MEDIUM

CURRENT DRIVER ARRAYS

DESCRIPTION

FEATURES

The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with

internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in

many military, aerospace, and industrial applications that require

severe environments. All units feature open collector outputs with

greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA

current carrying capabilities. Five different input configurations

provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or

CMOS drive signals. These devices are designed to operate from

-55°C to 125°C ambient temperature in a 16 pin dual in line ceramic

(J) package and 20 pin Leadless Chip Carrier (LCC). The plastic

dual in–line (N) is designed to operate over the commercial

temperature range of 0°C to 70°C.

• Seven npn Darlington pairs

• -55°C to 125°C ambient operating temperature range

• Collector currents to 600mA

• Output voltages from 50V to 95V

• Internal clamping diodes for inductive loads

• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs

• Hermetic ceramic package

HIGH RELIABILITY FEATURES

♦ Available to MIL-STD-883 and DESC SMD

♦ MIL-M38510/14101BEA - JAN2001J

♦ MIL-M38510/14102BEA - JAN2002J

♦ MIL-M38510/14103BEA - JAN2003J

♦ MIL-M38510/14104BEA - JAN2004J

♦ Radiation data available

♦ LMI level "S" processing available

PARTIAL SCHEMATICS

4/90 Rev 1.3 6/97

LINFINITY Microelectronics Inc.

11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841

(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与SG2012J/883B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SG2012J/DESC	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
SG2012L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2012L/883B	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2013	MICROSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS
SG2013	MICROCHIP	获取价格	The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with internal suppression diodes t
SG2013J	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2013J/883B	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2013J/DESC	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
SG2013L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2014	MICROSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS

与SG2012J/883B相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SG2012J/883B

SG2012J/883B 技术参数

SG2012J/883B 数据手册

与SG2012J/883B相关器件

与SG2012J/883B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SG2012J/883B

SG2012J/883B 技术参数

SG2012J/883B 数据手册

与SG2012J/883B相关器件

与SG2012J/883B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？