5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 74 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF140-28 | SSDI |
获取价格 |
28 AMP /100 Volts 0.095OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF140AA | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF140AAGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF140AB | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF140ABGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF140AC | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF140ACGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF140CGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF140J | SSDI |
获取价格 |
28 AMP / 100 Volts 0.077OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF140JBW | SSDI |
获取价格 |
28 AMP / 100 Volts 0.077OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
