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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, R-XUPM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-228AC |
| JESD-30 代码： | R-XUPM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF140ACGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF140CGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF140J | SSDI |
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28 AMP / 100 Volts 0.077OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF140JBW | SSDI |
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28 AMP / 100 Volts 0.077OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF140JBWS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF140JBWTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF140JDBW | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF140JGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF140JS | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF140JTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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