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SFF140JBWS

更新时间: 2024-11-24 13:13:23
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SSDI /
页数 文件大小 规格书
2页 223K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN

SFF140JBWS 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-257AB
包装说明:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.66配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):28 A
最大漏源导通电阻:0.077 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-257ABJESD-30 代码:S-MSFM-P3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF140JBWS 数据手册

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