5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XSFM-P6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF140Z | SSDI |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| SFF140ZGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF150 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF150/3 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF150/61 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF150-3 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF150-61 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF150AA | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF150AAGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF150AC | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
