生命周期: | Active | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.68 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 30 A |
最大漏源导通电阻: | 0.055 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-61 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SFF150-3 | SSDI |
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30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET | |
SFF150-61 | SSDI |
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30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET | |
SFF150AA | SSDI |
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Transistor | |
SFF150AAGZ | SSDI |
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Transistor | |
SFF150AC | SSDI |
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Transistor | |
SFF150C | SSDI |
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40 AMP 100 Volts 0.040OHM N-Channel POWER MOSFET | |
SFF150J | SSDI |
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Transistor | |
SFF150JGZ | SSDI |
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暂无描述 | |
SFF150M | SSDI |
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30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET | |
SFF150MGZ | SSDI |
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Transistor |