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SFF150/61

更新时间: 2024-11-24 02:50:39
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SSDI /
页数 文件大小 规格书
2页 212K
描述
30 AMP 100 Volts 0.055OHM N-Channel POWER MOSFET

SFF150/61 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.68配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.055 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-61JESD-30 代码:O-MUPM-D3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF150/61 数据手册

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