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SFF140M

更新时间: 2024-09-30 09:28:31
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SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
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2页 228K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

SFF140M 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-254
包装说明:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.66Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):28 A最大漏极电流 (ID):28 A
最大漏源导通电阻:0.077 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-254AAJESD-30 代码:S-MSFM-P3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):74 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SFF140M 数据手册

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