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SFF140-28

更新时间: 2024-11-20 03:32:35
品牌 Logo 应用领域
SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 244K
描述
28 AMP /100 Volts 0.095OHM N-Channel POWER MOSFET

SFF140-28 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:LCC
包装说明:CHIP CARRIER, S-CQCC-N28针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.66配置:Single
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):28 A
最大漏极电流 (ID):28 A最大漏源导通电阻:0.095 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-CQCC-N28
端子数量:28工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:QUAD晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF140-28 数据手册

 浏览型号SFF140-28的Datasheet PDF文件第2页 

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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me