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SEMIX302GAR12T4S

更新时间： 2024-02-29 03:38:10

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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Trench IGBT Modules

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SEMIX302GAR12T4S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：	11	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	460 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X11
元件数量：	1	端子数量：	11
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	580 ns
标称接通时间 (ton)：	320 ns	Base Number Matches：	1

SEMIX302GAR12T4S 数据手册

SEMiX 302GB12T4s

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26-07-2007 SCH

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