5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.6 |
| 外壳连接： | BASE | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | O-PRDB-F4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 21.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1025 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD1526-01E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
| SD1526-08 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
|
| SD1526-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/DME APPLICATIONS |
|
| SD-15266-001 | MOLEX |
获取价格 |
0.50mm Pitch Premo-Flex⢠FFC Jumper, Same S |
|
| SD1527-08 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/DME APPLICATIONS |
|
| SD1527-08E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
| SD1527-8 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/DME APPLICATIONS |
|
| SD1528 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,1.5A I(C),STX-8 |
|
| SD1528-06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS |
|
| SD1528-08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
