SD1530-7

更新时间： 2024-11-17 22:50:19

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	22K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SD1530-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	子类别：	Other Transistors
Base Number Matches：	1

SD1530-7 数据手册

ASI SD1530-7

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI SD1530-7 is a Common

Base Device Designed for DME, IFF

and Tacan Pulse Applications.

FEATURES INCLUDE:

· Gold Metalization

PACKAGE STYLE 250 2L FLG (A)

· Input Matching

· Broad Band Performance

MAXIMUM RATINGS

I_C

2.5 A

V_CES

P_DISS

T_J

55 V

125 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +200 ^OC

1.4 ^OC/W

T_STG

q_JC

1 = COLLECTOR

2 = EMITTER

3 = BASE

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 75 mA

I_E= 25 mA

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_EBO

h_FE

I_C= 300 mA

P_out= 25 W

---

P_G

V_CC= 50 V

fo = 960 to 1215 MHz

DUTY CYCLE = 1.0%

8.5

PULSE WIDTH = 10 mS

h _C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

中文翻译

下载PDF

与SD1530-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SD1530L	WON-TOP	获取价格	Axial
SD1534-01	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
SD1534-08	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
SD1534-08	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
SD1534IFF	STMICROELECTRONICS	获取价格	SD1534IFF
SD1534TACAN	STMICROELECTRONICS	获取价格	SD1534TACAN
SD1535L	WON-TOP	获取价格	Axial
SD1536	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 65V 10A 3-Pin Case M-105
SD1536-01	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, Silicon, NPN,
SD1536-01E3	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, Silicon, NPN,