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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DISK BUTTON, O-XRDB-F4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | O-XRDB-F4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 11.7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD1525-3-9 | WINCHESTER |
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PL, TPS |
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| SD1525-4-9 | WINCHESTER |
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PL, TPS |
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| SD1526-01 | ADPOW |
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RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS |
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| SD1526-01 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/DME APPLICATIONS |
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| SD1526-01E3 | MICROSEMI |
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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| SD1526-08 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| SD1526-1 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/DME APPLICATIONS |
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| SD-15266-001 | MOLEX |
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0.50mm Pitch Premo-Flex⢠FFC Jumper, Same S |
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| SD1527-08 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/DME APPLICATIONS |
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| SD1527-08E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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