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SD1520-8

更新时间: 2024-09-16 15:50:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 374K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

SD1520-8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.09外壳连接:BASE
最大集电极电流 (IC):0.25 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):5.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SD1520-8 数据手册

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