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SD1512E3

更新时间: 2024-09-16 19:54:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 96K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M124, 4 PIN

SD1512E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.83外壳连接:BASE
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRPM-F4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):960 MHz
Base Number Matches:1

SD1512E3 数据手册

  

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