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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | BASE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 58.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD1512 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M124, 4 P |
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| SD1512E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M124, 4 P |
|
| SD1520-01 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, Silicon, NPN |
|
| SD1520-01E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, Silicon, NPN |
|
| SD1520-08 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, Silicon, NPN, |
|
| SD1520-08E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, Silicon, NPN |
|
| SD1520-8 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
| SD1522 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,500MA I(C),STX-8 |
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| SD1522-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,500MA I(C),STX-8 |
|
| SD1524-01 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/DME APPLICATIONS |
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