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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.86 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 基于收集器的最大容量： | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 18 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-PRPM-F4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD1132-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,400MA I(C),MACRO-X |
|
| SD113-24-21-021 | ADVANCEDPHOTONIX |
获取价格 |
Red Enhanced Bi-Cell Silicon Photodiode |
|
| SD1132-5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,18V V(BR)CEO,700MA I(C),STX-8 |
|
| SD1132-5 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor, STUD-4 |
|
| SD1134 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS |
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| SD1134 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
|
| SD1134-05 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 16V 0.75A 4-Pin Case M-123 |
|
| SD1134-05 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF PORTABLE/MOBILE APPLICATIONS |
|
| SD1135 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS |
|
| SD1135-03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF PORTABLE/MOBILE APPLICATIONS |
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