SD1134

更新时间： 2024-11-01 22:43:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS

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SD1134 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.75 A
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SD1134 数据手册

SD1134

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF MOBILE APPLICATIONS

450 - 512 MHz

12.5 VOLTS

EFFICIENCY 55%

COMMON EMITTER

P_OUT2.0 W MIN. WITH 10.0 dB GAIN

.280 4L STUD (M122)

epoxy sealed

ORDER CODE

BRANDING

SD1134

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The SD1134 is a 12.5 V Class C epitaxial silicon

NPN planar transistor designed primarily for UHF

communications. This device utilizes improved me-

tallization to achieve infinite VSWR at rated oper-

ating conditions.

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

0.75

P_DISS

T_J

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

T_STG

65 to +150

−

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

°C/W

1/4

November 1992

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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