SD1134-05

更新时间： 2024-09-27 09:31:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波便携式
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF PORTABLE/MOBILE APPLICATIONS

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SD1134-05 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.280 INCH, PLASTIC, M123, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.75 A
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1134-05 数据手册

SD1134-05

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

VHF PORTABLE/MOBILE APPLICATIONS

175 MHz

7.5 VOLTS

COMMON EMITTER

P_OUT0.5 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN

.280 4LSL (M123)

epoxy sealed

ORDER CODE

SD1134-05

BRANDING

1134-5

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The SD1134-05 is a 7.5 V epitaxial silicon NPN

planar transistor designed primarily for VHF com-

munications. It with stands very high VSWR under

rated operating conditions.

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CER

V_CES

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

0.75

5.0

P_DISS

T_J

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

T_STG

65 to +150

−

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

°C/W

1/3

October 1992

12 3

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SD-113-G-21C-N	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP26, 26 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Solder